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硬件工程师面试题目
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、cmos、mcu、risc、cisc、dsp、asic、fpga等的概念）。（仕兰微面试题目）
2、fpga和asic的概念，他们的区别。（未知）
答案：fpga是可编程asic；asic:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它asic(applicationspecificic)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点
3、什么叫做otp片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）
4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）
5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）
6、简述fpga等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目）
7、ic设计前端到后端的流程和eda工具。（未知）
8、从rtl synthesis到tapeout之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）
9、asic的design flow。（威盛via 2003.11.06 上海笔试试题）
10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）
11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）
12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目）
13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素？（仕兰微面试题目）
14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目）
16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）
17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）
19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.（未知）
20、什么叫latchup?（科广试题）
21、什么叫窄沟效应? （科广试题）
22、什么是nmos、pmos、cmos？什么是增强型、耗尽型？什么是pnp、npn？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管，n阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）
24、画出cmos晶体管的cross-over图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（infineon笔试试题）
25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
26、please explain how we describe the resistance in semiconductor.compare
the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmosprocess.（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）
29、写schematic note（？），越多越好。（凹凸的题目和面试）
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）
31、太底层的mos管物理特***觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。ic设计的话需要熟悉的软件:cadence,
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